| 一种InP HEMT分布小信号模型建模方法 |
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| 引用本文： | 戚军军,吕红亮,程林,张玉明,张义门,赵锋国,段兰燕. 一种InP HEMT分布小信号模型建模方法[J]. 红外与毫米波学报, 2022, 41(2): 511-516 |
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| 作者姓名： | 戚军军 吕红亮 程林 张玉明 张义门 赵锋国 段兰燕 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带半导体技术国防重点学科实验室，陕西 西安 710071,西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带半导体技术国防重点学科实验室，陕西 西安 710071,西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带半导体技术国防重点学科实验室，陕西 西安 710071,西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带半导体技术国防重点学科实验室，陕西 西安 710071,西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带半导体技术国防重点学科实验室，陕西 西安 710071,中兴通讯股份有限公司，广东 深圳 518057,中兴通讯股份有限公司，广东 深圳 518057 |
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| 基金项目： | Supported by the Project InP High Electron Mobility Transistor Noise Model Research and Technical Support in Cooperation with ZTE and the Key Research and Development Program of Shaanxi （2021GY-010） |
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| 摘 要： | 提出了一种用于InP高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）的分布式小信号等效电路建模方法。在采用的模型中考虑了分布电容效应，通过加入三个分布电容来表征。为了精确建模，在提取寄生电容时考虑到寄生电感引入的误差，首先提取了寄生电感。在达到50 GHz的InP HEMT中，小信号建模方法的有效性得到了验证。此外，在2～50 GHz频率范围内，S参数建模误差小于4%，这也证明了所提出建模方法的高建模精度。
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| 关 键 词： | 分布式模型 小信号模型 模型参数 提取方法 高电子迁移率晶体管 |
| 收稿时间： | 2021-05-24 |
| 修稿时间： | 2022-03-31 |
A distributed small signal equivalent circuit modeling method for InP HEMT |
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| QI Jun-Jun,LYU Hong-Liang,CHENG Lin,ZHANG Yu-Ming,ZHANG Yi-Men,ZHAO Feng-Guo and DUAN Lan-Yan. A distributed small signal equivalent circuit modeling method for InP HEMT[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2022, 41(2): 511-516 |
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| Authors: | QI Jun-Jun LYU Hong-Liang CHENG Lin ZHANG Yu-Ming ZHANG Yi-Men ZHAO Feng-Guo DUAN Lan-Yan |
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