| 不同钝化层结构对HgCdTe热退火Hg空位调控影响 |
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| 引用本文： | 沈川,刘仰融,孙瑞赟,卜顺栋,陈路,何力.不同钝化层结构对HgCdTe热退火Hg空位调控影响[J].红外与毫米波学报,2022,41(2):425-429. |
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| 作者姓名： | 沈川 刘仰融 孙瑞赟 卜顺栋 陈路 何力 |
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| 作者单位： | 红外材料与器件重点实验室，中科院上海技术物理研究所，上海 200083,红外材料与器件重点实验室，中科院上海技术物理研究所，上海 200083,红外材料与器件重点实验室，中科院上海技术物理研究所，上海 200083,红外材料与器件重点实验室，中科院上海技术物理研究所，上海 200083,红外材料与器件重点实验室，中科院上海技术物理研究所，上海 200083;国科大杭州高等研究院， 浙江 杭州 310024,红外材料与器件重点实验室，中科院上海技术物理研究所，上海 200083 |
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| 基金项目： | 中国科学院青年创新促进会项目，上海市自然科学基金资助项目（21ZR1473500） |
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| 摘 要： | 对不同钝化层结构的分子束外延（MBE）生长的HgCdTe外延材料的Hg空位浓度控制进行研究。获得了更高Hg空位浓度调控范围的外延材料，为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现，在热退火过程中，HgCdTe外延材料的Hg空位浓度的变化随着钝化层结构的不同而发生改变。且这种改变是因为HgCdTe表层的钝化层的存在改变了原始热退火的平衡态过程。同时，通过二次离子质谱（SIMS）测试以及相应的理论拟合进行了验证。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 Hg空位 钝化层 热退火 |
| 收稿时间： | 2021/7/6 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/4/1 0:00:00 |
The influence of Hg vacancy control of HgCdTe materials with different passivation layers through thermal annealing |
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| SHEN Chuan,LIU Yang-Rong,SUN Rui-Yun,BU Shun-Dong,CHEN Lu and HE Li.The influence of Hg vacancy control of HgCdTe materials with different passivation layers through thermal annealing[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2022,41(2):425-429. |
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| Authors: | SHEN Chuan LIU Yang-Rong SUN Rui-Yun BU Shun-Dong CHEN Lu and HE Li |
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| Keywords: | HgCdTe Hg vacancy passivation layer thermal annealing |
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