| 面向MOCVD生长InAs/GaSb超晶格红外探测的InAs衬底表面制备 |
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| 引用本文： | 刘丽杰,赵有文,黄勇,赵宇,王俊,王应利,沈桂英,谢辉.面向MOCVD生长InAs/GaSb超晶格红外探测的InAs衬底表面制备[J].红外与毫米波学报,2022,41(2):420-424. |
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| 作者姓名： | 刘丽杰 赵有文 黄勇 赵宇 王俊 王应利 沈桂英 谢辉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 材料重点实验室 北京市低维半导体材料与器件重点实验室，北京 100083,中国科学院半导体研究所 材料重点实验室 北京市低维半导体材料与器件重点实验室，北京 100083;中国科学院大学 材料科学与光电技术学院，北京 100049,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室，江苏 苏州 215123,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室，江苏 苏州 215123,中国科学院半导体研究所 材料重点实验室 北京市低维半导体材料与器件重点实验室，北京 100083,中国科学院半导体研究所 材料重点实验室 北京市低维半导体材料与器件重点实验室，北京 100083,中国科学院半导体研究所 材料重点实验室 北京市低维半导体材料与器件重点实验室，北京 100083,中国科学院半导体研究所 材料重点实验室 北京市低维半导体材料与器件重点实验室，北京 100083 |
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| 基金项目： | Supported by National Natural Science Foundation of China （61904175） |
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| 摘 要： | 采用全反射X射线荧光光谱（total reflection X-ray fluorescence,TXRF）和X射线光电子能谱（X-ray photo-electron spectroscopy,XPS）检测方法研究InAs衬底化学机械抛光后经过不同湿法化学溶液联合作用后衬底表面的金属杂质残留浓度和氧化物组分的变化。湿法化学清洗后的InAs表面检测到金属杂质Si,K和Ca，它们的浓度随溶液组合的变化而变化。金属杂质残留浓度较高的InAs衬底表面同时也测得较多粒径为80 nm的颗粒。提出了一种行之有效的InAs衬底湿化学清洗方法，可制备出金属杂质残留少、颗粒少、氧化层薄InAs衬底表面，此表面有利于MOCVD方法生长高质量InAs/GaSb超晶格红外探测器外延。
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| 关 键 词： | 砷化铟 衬底 表面清洗 全反射X射线荧光光谱 X射线光电子能谱 |
| 收稿时间： | 2021/6/8 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/4/2 0:00:00 |
Preparation of epi-ready InAs substrate surface for InAs/GaSb superlattice infrared detectors grown by MOCVD |
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| LIU Li-Jie,ZHAO You-Wen,HUANG Yong,ZHAO Yu,WANG Jun,WANG Ying-Li,SHEN Gui-Ying and XIE Hui.Preparation of epi-ready InAs substrate surface for InAs/GaSb superlattice infrared detectors grown by MOCVD[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2022,41(2):420-424. |
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| Authors: | LIU Li-Jie ZHAO You-Wen HUANG Yong ZHAO Yu WANG Jun WANG Ying-Li SHEN Gui-Ying and XIE Hui |
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