| 分子束外延的CdTe在碲镉汞中波器件中钝化效果 |
| |
| 引用本文： | 解晓辉,林春,陈路,赵玉,张竞,何力. 分子束外延的CdTe在碲镉汞中波器件中钝化效果[J]. 红外与毫米波学报, 2022, 41(2): 413-419 |
| |
| 作者姓名： | 解晓辉 林春 陈路 赵玉 张竞 何力 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083 |
| |
| 基金项目： | 上海市青年科技英才扬帆计划（18YF1427400） |
| |
| 摘 要： | 采用分子束外延技术（MBE）制备了碲化镉（CdTe）原位钝化的中波碲镉汞（HgCdTe）材料。原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）测试结果表明，分子束原位外延的CdTe可见cross-hatch，表面粗糙度为1～2 nm,CdTe和HgCdTe界面结合紧密。微波光导测试结果显示，77 K时，与表面处理后非原位CdTe钝化的HgCdTe材料相比，CdTe原位钝化的HgCdTe材料的少子寿命较大。制备了分子束外延CdTe原位钝化的中波HgCdTe光伏器件，和相同材料上的非原位CdTe/ZnS双层钝化制备的器件I-V特性相似。
|
| 关 键 词： | 碲化镉 原位钝化 原子力显微镜 扫描电子显微镜 电压电流特性 |
| 收稿时间： | 2021-05-27 |
| 修稿时间： | 2022-02-08 |
The passivation effects of CdTe deposited by MBE in MW HgCdTe photodiodes |
| |
| XIE Xiao-Hui,LIN Chun,CHEN Lu,ZHAO Yu,ZHANG Jing and HE Li. The passivation effects of CdTe deposited by MBE in MW HgCdTe photodiodes[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2022, 41(2): 413-419 |
| |
| Authors: | XIE Xiao-Hui LIN Chun CHEN Lu ZHAO Yu ZHANG Jing HE Li |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《红外与毫米波学报》下载全文 |
|
