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80dB动态范围,用于低中频结构GSM接收机的ΣΔ调制器
作者姓名:杨培  殷秀梅  杨华中
作者单位:清华大学电子工程系,北京 100084;清华大学电子工程系,北京 100084;清华大学电子工程系,北京 100084
摘    要:介绍了一个200kHz信号带宽、用于低中频结构GSM射频接收机的高精度ΣΔ调制器.该调制器采用3阶单环单比特的结构,电路使用全差分开关电容结构实现,并在0.6μm 2P2M CMOS工艺下流片验证.调制器使用全差分±1V参考电压,工作在26MHz采样频率,过采样率为64.测试结果表明,在200kHz信号带宽内,调制器达到80.6dB动态范围,峰值SNDR达到71.8dB,峰值SNR达到73.9dB.整个调制器电源电压为5V,静态功耗为15mW.

关 键 词:ΣΔ调制器 模数转换 开关电容 运算放大器
文章编号:0253-4177(2008)02-0256-06
收稿时间:2007-07-08
修稿时间:2007-10-15
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