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放电等离子烧结技术制备透明AlN陶瓷
引用本文:熊焰,傅正义,王玉成. 放电等离子烧结技术制备透明AlN陶瓷[J]. 硅酸盐学报, 2005, 33(6): 753-757
作者姓名:熊焰  傅正义  王玉成
作者单位:武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070
基金项目:“863”计划(2002AA332020)资助项目。
摘    要:采用放电等离子烧结(spark plasma sintering,SPS)技术,以CaF2为烧结助剂,在1850℃烧结15min,成功制备了透明AlN陶瓷。随着CaF2含量的增加,样品的密实度和透过率都随之提高。在CaF2含量为2.5%(质量分数)的AlN陶瓷样品的透光率最高(56.3%)。继续提高CaF2含量,样品密实度和透过率反而有所下降。SPS制备的纯AlN陶瓷样品中出现了颜色不均匀现象。与传统烧结方法比较,SPS制备的样品具有很高的致密度、纯度和良好的晶体结构。CaF2的加入降低了烧结温度,烧结时间短,提高了AlN陶瓷的透过率。是制备透明AlN陶瓷的有效烧结助剂。

关 键 词:氮化铝透明陶瓷  放电等离子烧结  透过率
文章编号:0454-5648(2005)06-0753-05
修稿时间:2004-09-15

TRANSPARENT AlN CERAMICS PREPARED BY SPARK PLASMA SINTERING
XIONG Yan,FU Zhengyi,WANG Yucheng. TRANSPARENT AlN CERAMICS PREPARED BY SPARK PLASMA SINTERING[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2005, 33(6): 753-757
Authors:XIONG Yan  FU Zhengyi  WANG Yucheng
Abstract:
Keywords:transparent aluminum nitride ceramics  spark plasma sintering  transmittance
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