| GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计 |
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| 引用本文： | 刘盛,张永刚. GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计[J]. 功能材料与器件学报, 2008, 14(3): 614-618 |
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| 作者姓名： | 刘盛 张永刚 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) , 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用一维方势阱模型对Gash/InxGa1-xAs0.02Sb0.98m量子阱激光器结构的子带跃迁波长与阱宽间的关系进行了计算,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度.结果表明GaSb/InGaAsSb是制作2～3μm中红外波段量子阱激光器的良好材料体系.在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分及阱宽并对应变总量进行控制是十分重要的.
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| 关 键 词： | 量子阱结构 半导体激光器 带间跃迁 |
Interband transition design of GaSb/InGaAsSb quantum wells |
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| LIU Sheng,ZHANG Yong-gang. Interband transition design of GaSb/InGaAsSb quantum wells[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2008, 14(3): 614-618 |
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| Authors: | LIU Sheng ZHANG Yong-gang |
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