| 掺磷中孔SiO_2在30℃～200℃范围内的质子导电性 |
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| 引用本文： | 邹智毅,魏小兰,李丽坤,付珍,方军,古国榜.掺磷中孔SiO_2在30℃～200℃范围内的质子导电性[J].广州化工,2010,38(2):54-56,67. |
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| 作者姓名： | 邹智毅 魏小兰 李丽坤 付珍 方军 古国榜 |
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| 作者单位： | 1. 华南理工大学化学与化工学院,广东广州,510640
2. 厦门大学化学与化工学院化学与生物工程系,福建厦门,361005 |
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| 基金项目： | 科技部十一五“863”计划(2008AA05Z107);;华南理工大学学生研究计划(SRP) |
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| 摘 要： | 合成了孔壁掺磷中孔SiO2(m-PH-SiO2),其BET比表面积为407m2g-1,BJH平均孔径为6.1nm。用交流阻抗技术测定了除去游离P2O5的掺磷中孔SiO2在30℃～200℃范围内100%相对湿度下的质子电导,样品导电率随温度升高而升高,在150℃和100%相对湿度下,样品的电导可达3.1×10-3S·cm-1,比纯中孔SiO2(m-SiO2)的电导约高一个数量级,原因是m-PH-SiO2的物理吸附水量为31个分子/nm2,而m-SiO2只有24个分子/nm2。
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| 关 键 词： | 掺磷中孔SiO2 中温 质子电导 |
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