| 生长温度对InGaN/GaN多量子阱LED光学特性的影响 |
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| 引用本文： | 朱丽虹,刘宝林,张保平. 生长温度对InGaN/GaN多量子阱LED光学特性的影响[J]. 半导体光电, 2008, 29(2): 165-169 |
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| 作者姓名： | 朱丽虹 刘宝林 张保平 |
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| 作者单位： | 厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,物理系,福建,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 福建省科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 利用低压MOCVD系统,在蓝宝石衬底上外延生长了InGaN/GaN多量子阱蓝紫光LED结构材料.研究了生长温度对有源层InGaN/GaN多量子阱的合金组分、结晶品质及其发光特性的影响.结果表明当生长温度从730℃升到800℃时,LED的光致发光波长从490nm移到380nm,室温下PL谱发光峰的半高全宽从133meV降到73meV,表明了量子阱结晶性的提高.高温生长时,PL谱中还观察到了GaN的蓝带发光峰,说明量子阱对载流子的限制作用有所减弱.研究表明,通过改变生长温度可以对LED发光波长及有源层InGaN的晶体质量实现良好的控制.
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| 关 键 词： | MOCVD InGaN/GaN多量子阱 蓝紫光LED 蓝带 |
| 文章编号： | 1001-5868(2008)02-0165-05 |
| 修稿时间： | 2007-07-05 |
Study of Optical Characteristics of InGaN/GaN MQW LED Depended on Growth Temperature |
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| ZHU Li-hong,LIU Bao-lin,ZHANG Bao-ping. Study of Optical Characteristics of InGaN/GaN MQW LED Depended on Growth Temperature[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2008, 29(2): 165-169 |
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| Authors: | ZHU Li-hong LIU Bao-lin ZHANG Bao-ping |
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