Cu_2O掺杂对钛酸钡基PTC陶瓷的影响

为研究Cu_2O掺杂对Y半导化的BaTiO_3基PTC陶瓷的影响,用固相反应法制备了以0.3%mol Y_2O_3为施主掺杂物、不同含量的Cu_2O为受主掺杂物的钛酸钡基PTC陶瓷系列样品。测量了样品电阻率与温度变化之间的关系,用快-快符合寿命谱仪测量了样品的正电子湮没寿命谱。结果表明:掺杂Cu_2O可以显著提高样品的升阻比(ρmax/ρmin),随着Cu_2O掺杂量的增加,室温电阻率逐渐增大,样品的升阻比先增大后减小,掺杂0.01%mol Cu_2O的样品升阻比最大,性能最好。随着Cu_2O掺杂量的增大,少量Cu离子会进入晶粒内部,但更多的Cu离子会在晶界聚集,使晶界缺陷态增多,晶粒细化。