| 宽束冷阴极离子源离子能量及能量分布的研究 |
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| 引用本文： | 徐均琪,弥谦,杭凌侠,严一心,董网妮. 宽束冷阴极离子源离子能量及能量分布的研究[J]. 光电工程, 2008, 35(6): 23-28 |
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| 作者姓名： | 徐均琪 弥谦 杭凌侠 严一心 董网妮 |
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| 作者单位： | 西安工业大学,陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,西安,710032;西安工业大学,陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,西安,710032;西安工业大学,陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,西安,710032;西安工业大学,陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,西安,710032;西安工业大学,陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,西安,710032 |
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| 基金项目： | 教育部科学技术研究项目 , 陕西省教育厅资助项目 , 陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 介绍了一种用于离子束辅助沉积光学薄膜的新型宽束冷阴极离子源,详细叙述了该源的结构和工作过程.采用五栅网离子能量测试装置研究了离子源的离子能量及能量分布.结果表明,探针接收的离子最低能量随着引出电压和真空度的升高而升高.离子能量分布概率密度函数为单峰函数,其峰值位置随着真空度的降低向低能量方向移动,随着引出电压的升高向高能量方向移动.当引出电压为200～1200V时,离子平均能量为600～1600eV,呈线性规律变化.这种离子源的离子平均初始动能约为430～480eV.了解和掌握离子源的这些特性和参数,可以有效的对镀膜过程的微观环境(离子密度、离子能量等)进行控制,促进薄膜制备工艺更好地进行.
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| 关 键 词： | 离子能量 能量分布 离子源 离子束辅助沉积(IBAD) 薄膜 |
| 收稿时间： | 2007-10-23 |
Ion Energy and Energy Distribution of the Broad Beam Cool Cathode Ion Source |
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| XU Jun-qi,MI Qian,HANG Ling-xia,YAN Yi-xin,DONG Wang-ni. Ion Energy and Energy Distribution of the Broad Beam Cool Cathode Ion Source[J]. Opto-Electronic Engineering, 2008, 35(6): 23-28 |
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| Authors: | XU Jun-qi MI Qian HANG Ling-xia YAN Yi-xin DONG Wang-ni |
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| Abstract: | A novel type broad beam cool cathode ion source was successfully developed for optical thin film growth technique by ion beam assisted deposition. The structure, discharge process and working properties were introduced in this paper. The ion energy and its distribution were investigated by a 5-grid tester. The results indicates that the lowest ion energy in beam increases with the increase of the extraction voltage, whereas decreases with the increase of the pressure. The peak position of the ion energy dis... |
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| Keywords: | ion energy energy distribution ion beam source ion beam assisted deposition thin films |
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