| 栅脉冲下AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究 |
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| 引用本文： | 龙飞, 杜江锋, 罗谦, 靳翀, 杨谟华,. 栅脉冲下AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究[J]. 电子器件, 2007, 30(1): 26-28 |
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| 作者姓名： | 龙飞 杜江锋 罗谦 靳翀 杨谟华 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054 |
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| 摘 要： | 源于AlGaN/GaNHEMT器件的大量测试分析发现,栅脉冲条件下漏极电流比直流情况下减小了47%;随着信号频率的改变,漏极电流按μnCoxW[α (0.13 0.64f)VGS (0.13 0.32 f)VGS2](VGS-Vth)2/L的规律变化;脉冲信号宽度对漏电流崩塌影响较小.基于实验结果的理论分析认为,电子从栅极注入到栅漏之间并被表面态所俘获,在沟道中形成增加的耗尽层,使得沟道二维电子气浓度减小,从而导致形成电流崩塌效应的主要原因之一.该结论有助于AlGaN HEMT器件脉冲条件下电流崩塌效应理论解释和器件应用.
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| 关 键 词： | 电流崩塌效应 AlGaN/GaN HEMT 栅脉冲 表面态 |
| 文章编号： | 1005-9490（2007）01-0026-03 |
| 修稿时间： | 2006-02-24 |
Investigation of Gate Pulsed Producing Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs |
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| LONG Fei,DU Jiang-feng,LUO Qian,JIN Chong,YANG Mo-hua. Investigation of Gate Pulsed Producing Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs[J]. Journal of Electron Devices, 2007, 30(1): 26-28 |
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| Authors: | LONG Fei DU Jiang-feng LUO Qian JIN Chong YANG Mo-hua |
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| Affiliation: | School ofMicroelectronicsand Solid-State Electronics , Univ. o f Elec. Sci. and Technol, C.heng du 610054,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | current collapse AlGaN/GaN HEMT gate pulsed surface state |
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