| 大功率半导体激光阵列远场光强分布研究 |
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| 引用本文： | 李彬,曾晓东,商继敏,霍雷.大功率半导体激光阵列远场光强分布研究[J].光电子．激光,2012(4):667-675. |
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| 作者姓名： | 李彬 曾晓东 商继敏 霍雷 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学技术物理学院;西安电子科技大学技术物理学院;西安电子科技大学技术物理学院;西安电子科技大学技术物理学院 |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费(k50510050010);重点实验室基金(9140c310403090c31)资助项目 |
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| 摘 要： | 针对Bar和Stack两种类型激光器,运用双峰模型,对各个发光单元的光强进行非相干叠加,得出Bar和Stack两种激光器的远场光强模型,并根据此模型模拟出Bar和Stack的远场光强分布。分别定量描述了Bar和Stack光强分布均匀的区域以及开始出现类似单发光单元的双峰分布的位置,并给出了相应的经验计算公式。利用这些公式以及器件数据手册给出的参数即可方便的计算出Bar和Stack的均匀区域以及出现类似单发光单元的双峰分布的位置。理论分析与实验结果基本吻合。可为Bar和Stack在实际应用中设计光学系统以及光束质量评价提供理论依据。
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| 关 键 词： | 激光光学 半导体激光器 远场分布 bar stack 双峰模型 |
Study on the far-field intensity distribution of high-power semiconductor Bar and Stack lasers |
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| LI Bin,ZENG Xiao-dong,SHANG Ji-min and HUO Lei.Study on the far-field intensity distribution of high-power semiconductor Bar and Stack lasers[J].Journal of Optoelectronics·laser,2012(4):667-675. |
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| Authors: | LI Bin ZENG Xiao-dong SHANG Ji-min and HUO Lei |
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| Affiliation: | (School of Technical Physics,Xidian University,Xi′an 710071,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | laser optics semiconductor laser far-field intensity distribution bar stack bi-peak model |
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