| Ar气氛下直流磁控溅射ITO薄膜的结构和性能 |
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| 引用本文： | 职利,徐华蕊,周怀营. Ar气氛下直流磁控溅射ITO薄膜的结构和性能[J]. 功能材料与器件学报, 2007, 13(2): 177-180 |
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| 作者姓名： | 职利 徐华蕊 周怀营 |
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| 作者单位： | 桂林电子科技大学信息材料科学与工程系,桂林,541004;桂林电子科技大学信息材料科学与工程系,桂林,541004;桂林电子科技大学信息材料科学与工程系,桂林,541004 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) , 广西新世纪十百千人才工程基金 , 广西自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用直流磁控溅射法在低温、100%Ar的无氧气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物(ITO,In2O3:SnO2=90:10,质量百分比)薄膜,详细探讨了溅射时改变氩气压强对ITO薄膜结构以及光电性能的影响.结果表明:溅射时氩气压强越小,ITO薄膜的体心立方晶型越完整,导电性越好,但对可见光透过性的影响不大.当氩气压强为0.3Pa时,溅射薄膜性能最佳,其光透过率可达92.9%,电导率为8.9×10-4Ω·cm.
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| 关 键 词： | 直流磁控溅射 ITO薄膜 氩气压强 电导率 透过率 |
| 文章编号： | 1007-4252(2007)02-0177-04 |
| 修稿时间： | 2006-03-15 |
Structure and properties of ITO films sputtered by DC magnetron at 100% Ar atmosphere |
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| MZHI Li,XU Hua-rui,ZHOU Huai-ying. Structure and properties of ITO films sputtered by DC magnetron at 100% Ar atmosphere[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2007, 13(2): 177-180 |
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| Authors: | MZHI Li XU Hua-rui ZHOU Huai-ying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetron sputtering ITO thin films Ar pressure optical and electrical properties |
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