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0.05μmCMOS晶体管
引用本文:
兆荣.0.05μmCMOS晶体管[J].固体电子学研究与进展,1996(2).
作者姓名:
兆荣
摘 要:
0.05μmCMOS晶体管据《SemiconductorWorld》1995年第2期报道,日本松下电器的半导体研究中心已研究出制造0.05μmCMOS晶体管的一套技术。该技术可制作0.1μm以下的PMOS,实现0.05μmCMOS。门延迟时间达到13...
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