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| 新型结构垂直腔面发射激光器的研制 | |
| 引用本文： | 赵英杰,郝永芹,李广军,冯源,侯立峰.新型结构垂直腔面发射激光器的研制[J].中国激光,2009,36(8). |
| 作者姓名： | 赵英杰 郝永芹 李广军 冯源 侯立峰 |
| 作者单位： | 1. 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022 2. 中国人民解放军装甲兵技术学院,吉林,长春,130117 3. 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022;中国人民解放军装甲兵技术学院,吉林,长春,130117 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，吉林省科技发展计划 |
| 摘 要： | 为改善垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的热特性.提高其光电性能,研制了新型辐射桥结构的VCSEL,即采用辐射桥状的电流注入通道取代以往传统结构VCSEL的环形电流注入通道.研究表明辐射桥结构可以降低VCSEL器件的体电阻和热阻,改善器件的模式特性.在同一外延片上,采用相同的工艺制备了辐射桥结构与传统结构两种VCSEL器件,并对两种器件的光电性能进行了对比测试.结果表明,辐射桥结构VCSEL比传统结构的VCSEL微分电阻降低25%,输出功率提高到1.6倍;辐射桥结构的VCSEL具有良好的温度特性与模式特性,80℃时仍能正常激射,60℃时最大输出功率可达17 mW,器件的热阻可达1.95℃/mW;器件单模工作,其总体性能远优于传统结构的VCSEL器件. |
| 关 键 词： | 激光技术 垂直腔面发射激光器 辐射桥 热阻 |
Fabrication of New Structure Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser |
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| Zhao Yingjie,Hao Yongqin,Li Guangjun,Feng Yuan,Hou Lifeng.Fabrication of New Structure Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser[J].Chinese Journal of Lasers,2009,36(8). | |
| Authors: | Zhao Yingjie Hao Yongqin Li Guangjun Feng Yuan Hou Lifeng |
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| Keywords: | |
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