| AlInGaN/GaN PIN紫外光电探测器的研制 |
| |
| 引用本文： | 黄瑾,洪灵愿,刘宝林,张保平.AlInGaN/GaN PIN紫外光电探测器的研制[J].半导体光电,2008,29(5). |
| |
| 作者姓名： | 黄瑾 洪灵愿 刘宝林 张保平 |
| |
| 作者单位： | 厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,物理系,福建,厦门,361005 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，福建省科技攻关项目 |
| |
| 摘 要： | 用AlInGaN四元合金代替AlGaN作为PIN探测器的有源层,研制出AlInGaNPIN紫外探测器.详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对器件进行了光电性能测试.测试结果表明,器件的正向开启电压约为1.5 V,反向击穿电压大于40 V;室温-5 V偏压下,暗电流为33 pA,350 nm处峰值响应度为0.163 A/W,量子效率为58%.
|
| 关 键 词： | AlInGaN/GaN PIN光电探测器 紫外光电探测器 |
Development on AlInGaN/GaN PIN Ultraviolet Photodetectors |
| |
| HUANG Jin,HONG Ling-yuan,LIU Bao-lin,ZHANG Bao-ping.Development on AlInGaN/GaN PIN Ultraviolet Photodetectors[J].Semiconductor Optoelectronics,2008,29(5). |
| |
| Authors: | HUANG Jin HONG Ling-yuan LIU Bao-lin ZHANG Bao-ping |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | AlInGaN/GaN |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
