| 直流电弧等离子体CVD金刚石膜工艺参数优化 |
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| 引用本文： | 张鬲君,苗晋琦,钟国防.直流电弧等离子体CVD金刚石膜工艺参数优化[J].金刚石与磨料磨具工程,2008(3):70-73. |
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| 作者姓名： | 张鬲君 苗晋琦 钟国防 |
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| 作者单位： | 1. 中原工学院工业训练中心,郑州,450007
2. 北京科技大学材料学院,北京,100083 |
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| 摘 要： | 为了研究工艺对CVD金刚石膜生长的影响,本文采用电镜、激光Raman谱分析等手段研究工艺参数对CVD金刚石膜生长速率和生长质量的影响.结果显示:金刚石薄膜的生长速率随甲烷浓度(3%～10%)、基片温度(800～1200℃)的增加而增加,随工作气压的升高先是增加,而后降低,峰值在15～20 kPa处.金刚石薄膜中非金刚石碳的相对含量先随基片温度的增加逐渐降低,在1080～1100 ℃达到最小值以后又开始急剧增加,膜的质量(结晶形态好和非金刚石碳的相对含量少)在1080～1100 ℃处达到最佳.
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| 关 键 词： | 直流电弧等离子体喷射 化学气相沉积 金刚石膜 工艺参数 |
| 文章编号： | 1006-852X(2008)03-0070-04 |
| 修稿时间： | 2008年2月13日 |
Optimization on the technical parameters of DC arc plasma jet CVD diamond films |
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| Miao Jinqi,Zhang Lijun,Zhong Guofang.Optimization on the technical parameters of DC arc plasma jet CVD diamond films[J].Diamond & Abrasives Engineering,2008(3):70-73. |
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| Authors: | Miao Jinqi Zhang Lijun Zhong Guofang |
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