电沉积法制备铜锌锡硫薄膜概述 |
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引用本文: | 吴林松,谭凯,谭景艺,林鹏,林一歆.电沉积法制备铜锌锡硫薄膜概述[J].工业加热,2016(4):34-36. |
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作者姓名: | 吴林松 谭凯 谭景艺 林鹏 林一歆 |
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作者单位: | 1. 华中科技大学 能源与动力工程学院,湖北武汉430074;华中科技大学 中欧清洁与可再生能源学院,湖北武汉430074;2. 华中科技大学 能源与动力工程学院,湖北武汉,430074 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(21203069) |
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摘 要: | Cu_2ZnSnS_4(CZTS)为锡黄锡矿结构的四元化合物,其禁带宽度为1.45 e V,与半导体太阳能电池所要求的最佳禁带宽度(1.5 eV)十分接近;该材料与目前在薄膜太阳能电池领域表现出色的黄铜矿结构的CIGS(铜铟镓硒)材料具有相似的晶体结构,且CZTS有着很好的光电性能,组成元素在地球上含量丰富,安全无毒和环境友好,因而成为太阳能电池吸收层的最佳候选材料之一。介绍了Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜材料的结构特性和光学特性,总结了电化学沉积方法制备CZTS的研究现状。最后对CZTS目前存在的挑战和今后的研究重点进行总结并展望了将来可能的突破方向。
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关 键 词: | 铜锌锡硫 薄膜制备 电化学沉积法 薄膜太阳能电池 |
The Overview of Cu2ZnSnS4 Thin Films Fabricated by Electrodeposition |
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Abstract: | |
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Keywords: | CZTS thin films fabrication electrodeposition thin film solar cells |
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