| 非平面化型ITO氮化镓基蓝光发光二极管 |
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| 引用本文： | 翁斌斌,秦丽菲,黄瑾,尹以安,刘宝林,张保平.非平面化型ITO氮化镓基蓝光发光二极管[J].半导体光电,2007,28(6):774-777. |
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| 作者姓名： | 翁斌斌 秦丽菲 黄瑾 尹以安 刘宝林 张保平 |
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| 作者单位： | 厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;福建省半导体照明工程技术研究中心,福建,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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福建省科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 将氧化铟锡(ITO)生长于氮化镓基蓝色发光二极管的出光台面上(p型GaN台面),用非平面化处理的方法制作出ITO井状结构,研制出非平面化型氧化铟锡-氮化镓基蓝色发光二极管(LED),获得了高的出光效率.结果表明,在20mA工作电流下,该蓝色发光二极管的出光光强是平整的普通ITO-GaN基LED的1.35倍.
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| 关 键 词： | 发光二极管 氮化镓 氧化铟锡 出光效率 |
| 文章编号： | 1001-5868（2007）06-0774-04 |
| 收稿时间： | 2007-03-13 |
| 修稿时间： | 2007年3月13日 |
GaN-based Blue Light-emitting Diodes with a Nano-roughened ITO Surface |
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| WENG Bin-bin,QIN Li-fei,HUANG Jin,YIN Yian,LIU Bao-lin,ZHANG Bao-ping.GaN-based Blue Light-emitting Diodes with a Nano-roughened ITO Surface[J].Semiconductor Optoelectronics,2007,28(6):774-777. |
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| Authors: | WENG Bin-bin QIN Li-fei HUANG Jin YIN Yian LIU Bao-lin ZHANG Bao-ping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | light emitting diodes GaN indium-tin-oxide light-extracted efficiency |
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