采用GaAs中间层用MOCVD技术在4英寸Si衬底上生长InP

目前人们对在Si衬底上进行的Ⅲ—Ⅴ化合物半导体异质结外延有着很浓的兴趣,虽然许多工作都集中在GaAs上,但对于在Si上生长尤为关注。这是因为它有着高电子速度和好的热传导性等特点,从而对电子器件的应用是优良的选用材料。我们从晶片的处理和成本方面研究了InP在Si衬底上的异质结外延。设计出一个新的具有生长4英寸晶片能力的MOCVD系统并用于晶体生长。采用一薄的GaAs中间层这一新的异质结构成功地在4英寸Si衬底上生长了单层InP,同时也发现这种结构有效地减小了残余应力,并且改善了InP外延层的结晶质量。