| 锗纳米线的制备与生长机理 |
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| 引用本文： | 裴立宅,赵海生.锗纳米线的制备与生长机理[J].稀有金属与硬质合金,2007,35(3):43-48. |
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| 作者姓名： | 裴立宅 赵海生 |
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| 作者单位： | 安徽工业大学材料科学与工程学院,安徽省金属材料与加工重点实验室,安徽,马鞍山,243002 |
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| 基金项目： | 安徽省教育厅自然科学基金 |
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| 摘 要： | 介绍了锗纳米线在制备技术、生长机理方面的研究现状与最新进展，主要对溶剂热合成法、化学气相沉积（CVD）法、模板法和激光烧蚀法等制备方法和金属催化气-液-固（VLS）生长机理、氧化物辅助生长机理等作了较为详尽的论述。
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| 关 键 词： | 半导体材料 纳米电子器件 锗纳米线 制备技术 生长机理 |
| 文章编号： | 1004-0536（2007）03-0043-06 |
| 修稿时间： | 2007-03-23 |
Preparation and Growth Mechanism of Ge Nanowires |
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| PEI Li-Zhai,ZHAO Hai-Sheng.Preparation and Growth Mechanism of Ge Nanowires[J].Rare Metals and Cemented Carbides,2007,35(3):43-48. |
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| Authors: | PEI Li-Zhai ZHAO Hai-Sheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | conductor material nano-electrical appliance Ge nanowires preparation technique growth mechanism |
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