PZT基陶瓷铁电—反铁电相界处各向异性的研究 |
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作者姓名: | 董显林 孙大志 |
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摘 要: | 本文研究了两个以PZT陶瓷为基的系统:PZT(Nb)和PSZT陶瓷在铁电-反铁电相界区域的压电和机电耦合等性能。结果表明,PZT基陶瓷在该相界处具有高Kt和低Kp的性质。压电和机电耦合各向异性也比准同型相界要高,│d33/d31│〉5.5,Kt/Kp〉3.0。借助于电场诱导AF→F相变和反铁电双子晶格间的强耦合作用,对此现象作了较好解释。
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关 键 词: | PZT陶瓷 各向异性 FA相界 压电陶瓷 |
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