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衬底温度对直流磁控溅射法沉积ZnO∶Ti薄膜性能的影响
引用本文:刘汉法,张化福,郭美霞,史晓菲,周爱萍.衬底温度对直流磁控溅射法沉积ZnO∶Ti薄膜性能的影响[J].真空科学与技术学报,2011,31(1):95-99.
作者姓名:刘汉法  张化福  郭美霞  史晓菲  周爱萍
作者单位:山东理工大学理学院,淄博,255049
摘    要:利用直流磁控溅射工艺,在石英玻璃衬底上沉积出了具有高度C轴择优取向的掺Ti氧化锌(ZnO∶Ti,TZO)透明导电薄膜。研究了衬底温度对TZO薄膜应力、结构和光电性能的影响。结果表明,衬底温度对TZO薄膜的结构、应力和电阻率有重要影响。TZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜。在衬底温度为100℃时,实验获得的TZO薄膜电阻率具有最小值2.95×10-4Ω.cm,400℃时薄膜出现孪晶,随着温度的升高,薄膜应力具有减小的趋势。实验制备的TZO薄膜附着性能良好,可见光区平均透过率都超过91%。

关 键 词:ZnO∶Ti薄膜  透明导电薄膜  衬底温度  磁控溅射

Growth and Characterization of Ti-Doped ZnO Films by DC Magnetron Sputtering
Liu Hanfa,Zhang Huafu,Guo Meixia,Shi Xiaofei,Zhou Aiping.Growth and Characterization of Ti-Doped ZnO Films by DC Magnetron Sputtering[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2011,31(1):95-99.
Authors:Liu Hanfa  Zhang Huafu  Guo Meixia  Shi Xiaofei  Zhou Aiping
Affiliation:(School of Science,Shandong University of Technology,Zibo 255049,China)
Abstract:
Keywords:
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