| Sb掺杂Sn2S3薄膜的表征及电学特性 |
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| 引用本文： | 柴燕华,李健,卢建丽.Sb掺杂Sn2S3薄膜的表征及电学特性[J].真空科学与技术学报,2011,31(1):89-94. |
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| 作者姓名： | 柴燕华 李健 卢建丽 |
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| 作者单位： | 1. 内蒙古大学物理科学与技术学院,呼和浩特,010021
2. 内蒙古高等学校半导体光伏技术重点实验室,呼和浩特,010021 |
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| 基金项目： | 内蒙古自治区自然科学基金 |
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| 摘 要： | 真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜。研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的电学、结构、表面形貌、化学组分的影响,实验给出掺Sb5%薄膜经380℃热处理30 min可获得结构良好正交晶系的Sn2S3∶Sb多晶薄膜,薄膜的电阻率从未掺杂时的79kΩ.cm降到23.7Ω.cm,下降了三个数量级。Sn2S3薄膜表面为颗粒状,体内化学计量比Sn/S为1∶1.49,与标准计量比非常接近;掺Sb(5%)后为1∶0.543,Sn过量。Sn和S以Sn2+,Sn4+,S2-形式存在于薄膜中;Sb元素显示正5价,部分Sb5+进入晶格替位Sn4+。
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| 关 键 词： | 真空蒸发 热处理 Sn2S3薄膜 Sb掺杂 电学特性 |
Growth and Electrical Properties of Sb-Doped Sn2S3 Films |
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| Chai Yanhua,Li Jian,Lu Jianli.Growth and Electrical Properties of Sb-Doped Sn2S3 Films[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2011,31(1):89-94. |
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| Authors: | Chai Yanhua Li Jian Lu Jianli |
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| Affiliation: | 1.School of Physical Science and Technology,Inner Mongol University,Hohhot 010021,China;2.Key Laboratory of Semiconductor Photovoltaic Technology for Colleges of Inner Mongolia Autonomous Region,Hohhot 010021,China) |
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