| 一种N层插入形成分离P体区的新型槽栅IGBT |
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| 引用本文： | 李志贵,江兴川,林信南. 一种N层插入形成分离P体区的新型槽栅IGBT[J]. 电源技术应用, 2014, 0(4): 12-16 |
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| 作者姓名： | 李志贵 江兴川 林信南 |
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| 作者单位： | 北京大学深圳研究生院信息工程学院集成系统科学工程与应用重点实验室,广州深圳518055 |
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| 摘 要： | 绝缘栅双极晶体管（IGBT）在功率电子技术中应用，比如电动机控制和高压开关模式电源等方面具有重要的意义。文中提出了一种新型的IGBT结构，就是在普通IGBT的P体区中插入N层，形成分离的P体区。这种结构导通压降低，同时又保持击穿电压不受影响。在集电极电流密度为5×10-5A／μm情况下，新结构的导通压降比普通结构的器件可以降低约25％。
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| 关 键 词： | IGBT SP槽栅 导通压降 模拟 |
A NEW Trough Gate IGBT of Seperate P-Body Region because N-Layer Insert |
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| LI Zhi-gui,JIANG Xing-chuan,LIN Xin-nan. A NEW Trough Gate IGBT of Seperate P-Body Region because N-Layer Insert[J]. Power Supply Technologles and Applications, 2014, 0(4): 12-16 |
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| Authors: | LI Zhi-gui JIANG Xing-chuan LIN Xin-nan |
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| Affiliation: | LI Zhi-gui,JIANG Xing-chuan,LIN Xin-nan |
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