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| 一种0.18μm的CMOS带隙电压基准 | |
| 引用本文： | 肖飞,何书专,李丽,赵茂,高明伦.一种0.18μm的CMOS带隙电压基准[J].电子测量技术,2009,32(3):5-6. |
| 作者姓名： | 肖飞 何书专 李丽 赵茂 高明伦 |
| 作者单位： | 南京大学,物理系,微电子设计研究所,南京,210093;江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 |
| 摘 要： | 介绍了一种运用于混合信号电路的带隙基准电压源电路。电路采用共源共栅结构的高增益运算放大器,提高了电源抑制性能,运用曲率补偿技术减小了输出电压随温度的变化,同时采用二级运放作为电压输出的缓冲,通过电阻分压得到多个稳定电压输出。该电路采用SMIC 0.18μm工艺,使用HSPICE仿真,电源电压为3.3 V,温度为-20～120℃时,输出电压的温度系数为17×10^-6/℃;电源电压在2～5 V变化时,室温下的输出电压为1.230 V±1.88 mV。 |
| 关 键 词： | 基准电压源 高电源抑制比 曲率补偿 输出缓冲 |
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