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GaInP/AlGaInP应变多量子阱激光器垂直于结方向上的光束质量研究
引用本文:周国泉,吕章德,王绍民.GaInP/AlGaInP应变多量子阱激光器垂直于结方向上的光束质量研究[J].中国激光,2001,28(7):583-586.
作者姓名:周国泉  吕章德  王绍民
作者单位:1. 浙江大学物理系;浙江林学院信息系
2. 浙江大学物理系;绍兴文理学院物理系
3. 浙江大学物理系
基金项目:国家自然科学基金 (编号 :199740 38)资助项目
摘    要:用转移矩阵方法对 680nmGaInP/AlGaInP应变多量子阱激光器的波导模式作了分析和计算。根据非傍轴光束传输的矢量矩理论 ,对该激光器垂直于结平面方向上的光束质量因子M2 ⊥ 进行了理论计算 ,结果表明M2 ⊥ 小于 1,和实验结果相符合。这一结果有助于认识半导体激光器垂直于结方向上光束的内在本性

关 键 词:应变多量子阱激光器  光束质量  转移矩阵  波导模式
收稿时间:2001/1/17

Study on the Perpendicular Optical Beam Quality of GaInP/AlGaInP Strained Multiple Quantum Well Laser
Abstract:The waveguided mode of 680 nm GaInP/AlGaInP strained multiple quantum well laser is analyzed by using transfer matrix method. Based on the nonparaxial vectorial moment theory of light beam propagation, the perpendicular optical beam quality factor is shown to be far smaller than unity, which is coincided with the experimental result. This result is useful for understanding the intrinsic nature of the perpendicular semiconductor laser beam.
Keywords:strained multiple quantum well laser  optical beam quality  transfer matrix  waveguided mode
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