| 氢气保护FZ硅掺镓研究 |
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| 引用本文： | 杨启基,及宏亮. 氢气保护FZ硅掺镓研究[J]. 激光与红外, 1991, 0(4) |
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| 作者姓名： | 杨启基 及宏亮 |
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| 作者单位： | 浙江大学半导体材料研究所(杨启基)，浙江大学半导体材料研究所(及宏亮) |
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| 摘 要： | 掺镓硅(Si∶Ga)单晶是制作8～14μm波段红外焦平面阵列光电导探测器的优良材料,它可实现探测器阵列与信号处理电子线路的集成化。真空FZ硅掺镓试验表明,镓在区熔过程中一边发生分凝,一边向外蒸发。采用高纯氢气(略大于latm,纯度99.9999％)作保护气氛后镓的蒸发被抑制,硅中镶浓度已达1.8×10~(16)atom/cm~3,且纵向均匀性大为改善。新的掺镓方法避免了对超高纯硅棒可能引入的沾污,保证了单品质量。
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| 关 键 词： | 掺镓硅单晶 红外探测器 |
Gallium-doping of FZ-Si in a Hydrogen Atmosphere |
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| Yang Qiji Ji Hongliang. Gallium-doping of FZ-Si in a Hydrogen Atmosphere[J]. Laser & Infrared, 1991, 0(4) |
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| Authors: | Yang Qiji Ji Hongliang |
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| Affiliation: | Semiconductor Materials Research Institute Zhejiang University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | gallium-doped silicon crystals infrared detector |
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