| HfO2高k栅介质等效氧化层厚度的提取 |
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| 作者姓名： | 陈勇 赵建明 韩德栋 康晋锋 韩汝琦 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都 610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都 610054;北京大学微电子系,北京 100871;北京大学微电子系,北京 100871;北京大学微电子系,北京 100871 |
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| 摘 要： | 分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进行修正,得出HfO2高k栅介质的准确C-V特性.其次,给出了一种利用平带电容提取高k介质EOT的方法,该方法能克服量子效应所产生的反型层或积累层电容的影响.采用该两步法提取的HfO2高k栅介质EOT与包含量子修正的Poisson方程数值模拟结果对比,误差小于5%,验证了该方法的正确性.
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| 关 键 词： | 高介电常数栅介质 等效氧化层厚度 二氧化铪 栅介质 等效氧化层厚度 电容提取 Gate Dielectrics High k Equivalent Oxide Thickness 验证 误差 结果对比 数值模拟 方程 Poisson 量子修正 步法 积累层 反型层 量子效应 方法 平带 利用 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)05-0852-05 |
| 收稿时间： | 2005-08-28 |
| 修稿时间： | 2005-11-18 |
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