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一种双靶磁控溅射制备的Mg掺杂的NiO薄膜
引用本文:王新,丛凡超,罗明海.一种双靶磁控溅射制备的Mg掺杂的NiO薄膜[J].微电子学,2024,54(1):145-148.
作者姓名:王新  丛凡超  罗明海
作者单位:长春理工大学 物理学院, 长春 130022
基金项目:吉林省科技发展计划项目(20220101036JC); 国家自然科学基金资助项目(11874091)
摘    要:采用磁控溅射“共溅射”方法,将Ar气作为溅射气体,高纯NiO和MgO双陶瓷靶作为溅射靶材。当控制NiO和MgO靶的溅射功率分别为190 W和580 W,溅射真空度为2 Pa,衬底温度为300℃时,得到了Mg掺杂的NiO(Ni0.61Mg0.39O)薄膜。该薄膜是一种具有(200)择优取向的晶态薄膜。薄膜表面比较平整,晶粒分布致密,晶粒尺寸约46.9 nm。(200)衍射峰位置相对未掺杂的NiO薄膜向小角度偏移约0.2°。合金薄膜在可见光波段具有较大的透过率,而在300 nm附近透过率陡然下降,其光学带隙向高能方向移动到了3.95 eV。该研究为采用磁控溅射制备高质量的Mg掺杂的NiO薄膜提供了技术支撑。

关 键 词:磁控溅射  共溅射  Mg掺杂的NiO薄膜  带隙
收稿时间:2023/9/8 0:00:00

A Mg-Doped NiO Thin Film Fabricated by Magnetron Sputtering Method Using Double Targets
WANG Xin,CONG Fanchao,LUO Minghai.A Mg-Doped NiO Thin Film Fabricated by Magnetron Sputtering Method Using Double Targets[J].Microelectronics,2024,54(1):145-148.
Authors:WANG Xin  CONG Fanchao  LUO Minghai
Affiliation:School of Physics, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, P. R. China
Abstract:
Keywords:magnetron sputtering  co-sputtering  Mg-doped NiO thin film  bandgap
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