| U型高K介质膜槽栅垂直场板LDMOS |
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| 引用本文： | 钱图,代红丽,周春行,陈威宇.U型高K介质膜槽栅垂直场板LDMOS[J].微电子学,2024,54(1):110-115. |
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| 作者姓名： | 钱图 代红丽 周春行 陈威宇 |
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| 作者单位： | 天津理工大学 集成电路科学与工程学院, 天津 300384 |
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| 基金项目： | 天津市大学生创新创业训练计划项目(202210060101) |
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| 摘 要： | 近年来,随着汽车电子和电源驱动的发展,集成度较高的LDMOS作为热门功率器件受到了关注,如何提高其击穿电压与降低其比导通电阻成为提高器件性能的关键。基于SOI LDMOS技术,文章提出了在被4 μm的高K介质膜包围的SiO2沟槽中引入垂直场板的新型结构。与传统沟槽LDMOS相比,垂直场板和高K介质膜充分地将电势线引导至沟槽中,提高了击穿电压。此外垂直场板与高K介质和漂移区形成的MIS金属-绝缘层-半导体电容结构能增加漂移区表面的电荷量,降低比导通电阻。通过二维仿真软件,在7.5 μm深的沟槽中引入宽0.3 μm、深6.8 μm的垂直场板,实现了具有300 V的击穿电压和4.26 mΩ·cm2的比导通电阻,以及21.14 MW·cm-2的Baliga品质因数的LDMOS器件。
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| 关 键 词： | LDMOS 高K介质 垂直场板 击穿电压 比导通电阻 |
| 收稿时间： | 2023/8/4 0:00:00 |
An U-Shaped High-K Dielectric Film Trench Gate Vertical Field Plate LDMOS |
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| QIAN Tu,DAI Hongli,ZHOU Chunxing,CHEN Weiyu.An U-Shaped High-K Dielectric Film Trench Gate Vertical Field Plate LDMOS[J].Microelectronics,2024,54(1):110-115. |
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| Authors: | QIAN Tu DAI Hongli ZHOU Chunxing CHEN Weiyu |
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| Affiliation: | School of Integrated Circuit Science and Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LDMOS high-K dielectric vertical field plate breakdown voltage specific on-resistance |
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