|
|||||
|
|
| Si-SiO_2-Al_2O_3结构的电子束辐照效应 | |
| 引用本文： | 林理彬,田景文,谢建华,陈伯英,唐方元,熊文树,林茂清.Si-SiO_2-Al_2O_3结构的电子束辐照效应[J].半导体学报,1982,3(2):151-154. |
| 作者姓名： | 林理彬 田景文 谢建华 陈伯英 唐方元 熊文树 林茂清 |
| 作者单位： | 四川大学物理系 (林理彬，田景文，谢建华，陈伯英)，成都720所 (唐方元，熊文树)，成都720所(林茂清) |
| 摘 要： | <正> 本文介绍了Si-SiO_2-Al_2O_3系统的电子束辐照及实验结果,定性地讨论了辐照能量、剂量及剂量率的影响.根据辐射效应,我们认为Al_2O_3-SiO_2及Al_2O_3-Si结构中Al_2O_3膜内靠近界面处存在有受主型界面态,表现出负电荷性质,辐射的电离效应进一步增强了界面的负电荷效应.同时实验结果还表明电子轰击引起了硅中杂质在界面附近的再分布. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |