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| GaP欧姆接触 | |
| 引用本文： | 王立军,袁嫒.GaP欧姆接触[J].半导体光电,1986(2). |
| 作者姓名： | 王立军 袁嫒 |
| 作者单位： | 中国科学院长春物理所，吉林大学电子科学系 七九级学生 |
| 摘 要： | 本文用测定接触电阻率ρ_c和形貌分析等方法比较分析了N-GaP/AuGeNi、Ni+AuGeNi、AuSb+AuGeNi+Ni、P-GaP/Auzn以及AuSb+AuZn等合金的接触特性,实验发现适量Sb的引入不但可使最佳合金化温度降低100℃左右,而且也使接触电阻率ρ_c值明显降低,使接触特性得到改善。 |
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