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低噪声、低功耗CMOS电荷泵锁相环设计
作者姓名:王洪魁  袁小云  张瑞智
作者单位:西安交通大学微电子研究所,西安,710049;西安交通大学微电子研究所,西安,710049;西安交通大学微电子研究所,西安,710049
摘    要:设计了一种 1 .8V、0 .1 8μm工艺的低噪声低功耗锁相环电路 ,其采用 CSA(Current Steer Amplifier)架构的压控振荡器 (VCO)。整个电路功耗低 ,芯片面积为 1 60 μm× 1 2 0 μm,对电源和衬底噪声抑制能力强。经过Spice模拟表明 ,在有电源噪声的情况下 ,输出 5 0 0 MHz时钟时周对周抖动小于 41 ps,功耗为 2 .8m W,最终与芯片的量测结果基本一致

关 键 词:低功耗  低噪声  锁相环  电荷泵
文章编号:1000-3819(2004)01-081-05
修稿时间:2003-05-19
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