|
|||||
|
|
| 单片式非本征硅红外电荷耦合器件 | |
| 作者姓名： | 汝彬 |
| 摘 要： | 为确保光生电荷输出在直接注入到CCD时不超过存贮容量,介绍了非本征硅红外光电导体的所需掺杂浓度、厚度和其它参数的计算。当CCD用来从非本征硅红外光电导探测器阵列读出红外信号时,每个元件产生的光生电荷可以传输到CCD和移位到探测器阵列的边 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
|
||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |