| 用瞬时电压箝位改进CMOS电路ESD防护 |
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| 引用本文： | 于慧,岳震,王胤丰. 用瞬时电压箝位改进CMOS电路ESD防护[J]. 微处理机, 2007, 28(6): 10-12 |
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| 作者姓名： | 于慧 岳震 王胤丰 |
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| 作者单位： | 1. 中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳,110032
2. 大连理工大学物理系,大连,116032 |
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| 摘 要： | 包含倒相器的小的瞬时电压箝位保护电路可能在一个HBM ESD事件期间产生振荡而且使箝位脱离。用0.25μm工艺生产的一个瞬时电压箝位电路可以使问题得到解决,其方法是在最后一个倒相器处增加一个电阻,这样可以提高电路的ESD防护能力。
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| 关 键 词： | 静电放电(ESD) CMOS电路 电压箝位 |
| 文章编号： | 1002-2279（2007）06-0010-03 |
| 收稿时间： | 2006-04-18 |
| 修稿时间： | 2006-04-18 |
Damped Transient Power Clamps for Improved ESD Protection of CMOS |
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| YU Hui,YUE Zhen,WANG Yin-feng. Damped Transient Power Clamps for Improved ESD Protection of CMOS[J]. Microprocessors, 2007, 28(6): 10-12 |
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| Authors: | YU Hui YUE Zhen WANG Yin-feng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ESD CMOS Circuit Power Clamp |
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