Implanation de sélénium dans le Ga1?xAlxAs (Implanation of selenium into Ga1?xAlxAs |
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| Authors: | Favennec PN Henry L Janicki T |
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| Affiliation: | Centre National d'Etudes des Télécommunications, Department PMT, Lannion, France; |
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| Abstract: | Par implantation d'ions de sélénium, de fines couches de type n sont obtenues dans le Ga0.71 Al0.29As. Pour les faibles doses, I'activité électrique est proche de 100%, et I'effet de l'implantation est comparable pour le GaAs et le Ga1?x Alx As. Les mêmes resultats sont obtenus en utilisant du Si3N4 ou de l'AIN comme film de protection. By implantation of selenium ions, thin n-type layers are obtained in Ga0.71Al0.29As. For small doses, the electrical activity is close to 100%. and the effect of the implantation is comparable for GaAs and Ga1?x AlxAs. The same results are obtained when using Si3N4 or AlN as a protective film. |
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