| N掺杂和Cu沉积TiO2纳米管紫外光光电响应研究 |
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| 引用本文： | 邓小红,王博,覃智波,李刚,张志龙,覃礼钊.N掺杂和Cu沉积TiO2纳米管紫外光光电响应研究[J].河南工程学院学报（自然科学版）,2010,22(4). |
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| 作者姓名： | 邓小红 王博 覃智波 李刚 张志龙 覃礼钊 |
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| 摘 要： | 研究了用阳极氧化法在钛基底表面上生长致密有序的TiO2纳米管阵列,然后用湿法掺杂N、光化学方法沉积Cu对TiO2纳米管阵列进行改性,并研究改性纳米管对紫外光光电响应的影响.用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)进行晶型和形貌表征.结果显示,改性前后纳米管都为锐钛矿;其内径约90 nm,管壁厚约12 nm,是中空的管状结构;掺杂N和沉积Cu对二氧化钛纳米管的晶型和形貌没有显著影响.测试改性前后TiO2纳米管在紫外光照射下的恒电位电流-时间(I-t)关系曲线表明:掺杂N使TiO2纳米管光电性能降低,沉积Cu使TiO2纳米管的光电性能增强.
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| 关 键 词： | TiO2纳米管 N离子掺杂 Cu纳米颗粒沉积 光电性能 |
The Photoelectric Response of N Doped and Cu Deposited TiO2 Nanotube under UV Light Irradiation |
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| DENG Xiaohong,WANG Bo,QIN Zhibo,LI Gang,ZHANG Zhilong,QIN Lizhao.The Photoelectric Response of N Doped and Cu Deposited TiO2 Nanotube under UV Light Irradiation[J].Journal of Hennan Institute of Engineering(Natural Science Edition),2010,22(4). |
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| Authors: | DENG Xiaohong WANG Bo QIN Zhibo LI Gang ZHANG Zhilong QIN Lizhao |
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