| n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触温度特性及微结构研究 |
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| 引用本文： | 张跃宗,冯士维,张弓长,王承栋.n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触温度特性及微结构研究[J].微纳电子技术,2007(8). |
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| 作者姓名： | 张跃宗 冯士维 张弓长 王承栋 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,电控学院可靠性物理实验室,北京,100022 北京工业大学,电控学院可靠性物理实验室,北京,100022 北京工业大学,电控学院可靠性物理实验室,北京,100022 北京工业大学,电控学院可靠性物理实验室,北京,100022 |
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| 摘 要： | 主要对n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触在高温下(500℃)的特性进行了研究,发现在所测温度范围内,接触电阻率随测量温度的升高呈现出增加的趋势,接触开始退化.同时分析研究了在不同高温、不同时间范围内(24 h)欧姆接触高温存储前后的变化,分析发现对于温度不高于500℃、在24 h内存储温度升高,接触电阻率增加.当样品被施加500℃,24 h的热应力后,其接触电阻率表现出不可恢复性增加.通过X射线衍射能谱分析了高温前后欧姆接触内部结构的变化机理,经过500℃的高温后,Ti层原子穿过Al层与Ni层原子发生固相反应.
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| 关 键 词： | 欧姆接触 接触电阻率 X射线衍射能谱 |
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