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| 两步扩散发射区功率晶体管芯片上温度分布及抗二次击穿能力的研究 | |
| 作者姓名： | 刘振茂 理峰 |
| 作者单位： | 哈尔滨工业大学(刘振茂，理峰，张国威)，哈尔滨工业大学(刘晓为) |
| 摘 要： | 试验研究了采用两步扩散发射区结构的功率晶体管,两步扩散发射区结构在提高芯片上温度分布均匀性和器件抗二次击穿能力方面具有较好的作用.两步扩散发射区器件管芯上的温度分布较一步扩散发射区更为均匀,二次击穿耐量可提高80%以上. |
| 关 键 词： | 功率晶体管 芯片 二次击穿 耐量 |
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