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| 一种稳定的Pd栅MOS场效应晶体管 | |
| 作者姓名： | 刘家泰 张秋江 黄启成 陆文兰 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所(刘家泰，张秋江，黄启成)，中国科学院半导体研究所(陆文兰) |
| 摘 要： | <正> Pd-MOS PET是一种氢气检测器件.它具有高灵敏度、高选择性、快响应速度和较好的稳定性.1975年瑞典I.Lundstr(o|¨)m等人研制出第一只 Pd-MOS FET.此种器件的工作机理为:当氢分子吸附在催化金属Pd上时,氢分子分解.氢原子通过Pd栅并吸附在金属-氧化物界面上形成偶极层.这偶极层使Pd栅MOS FET的阈值电压 V_T发生漂移.由于反应的可逆性以及氢通过Pd栅的扩散迅速,使得这一电压漂移可作为氢气浓度的测量。 |
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