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利用加速器质谱学中的入射离子X射线方法测定79Se的半衰期
引用本文:何明,蒋崧生,姜山,武绍勇,刁立军. 利用加速器质谱学中的入射离子X射线方法测定79Se的半衰期[J]. 核技术, 2004, 27(1): 22-26
作者姓名:何明  蒋崧生  姜山  武绍勇  刁立军
作者单位:中国原子能科学研究院,北京,102413;中国原子能科学研究院,北京,102413;中国原子能科学研究院,北京,102413;中国原子能科学研究院,北京,102413;中国原子能科学研究院,北京,102413
摘    要:利用加速器质谱学中的入射离子X射线方法(PX-AMS)对79Se的半衰期进行了测定.用这一直接测量79Se原子数的方法得到新的79Se半衰期为(2.80±0.36)×105a.利用同样的方法也测定了75Se的半衰期,75Se半衰期的测定结果显示利用PX-AMS方法对79Se半衰期的测定结果是可靠的.

关 键 词:79Se  半衰期  PX-AMS

Half-life measurement of 79Se with projectile X-ray method in AMS
HE Ming JIANG Songsheng JIANG Shan WU Shaoyong DIAO Lijun. Half-life measurement of 79Se with projectile X-ray method in AMS[J]. Nuclear Techniques, 2004, 27(1): 22-26
Authors:HE Ming JIANG Songsheng JIANG Shan WU Shaoyong DIAO Lijun
Abstract:
Keywords:79Se   Half-life   PX-AMS
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