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微波烧结制备碳化硅晶须的影响因素
引用本文:郝斌,刘剑,刘进强,王福.微波烧结制备碳化硅晶须的影响因素[J].材料热处理学报,2013,34(8):1-5.
作者姓名:郝斌  刘剑  刘进强  王福
作者单位:1. 唐山学院环境与化学工程系,河北唐山,063000
2. 中国科学院唐山高新技术研究与转化中心,河北唐山,063000
基金项目:国家重点实验室开放课题项目,唐山市科学技术研究与发展规划项目
摘    要:将干燥后的硅溶胶-活性炭作为反应物,在不加入任何金属催化剂的情况下,利用微波加热碳热还原法合成碳化硅晶须,研究反应温度和时间及坩埚部位对产物的影响。结果表明:30 min时,温度由1300℃升高到1600℃,产物中物相β-SiC越来越多;1500℃条件下,合成产物在坩埚的上部和中部主要分别为分散的SiC晶须和团聚在一起的SiC晶须;坩埚底部的产物主要为表面光滑的SiO2颗粒。1600℃条件下,合成产物在坩埚的上部和中部主要分别为分散的SiC晶须和等轴状β-SiC颗粒,底部为晶须和颗粒的混合物。1500℃×30 min得到的SiC晶须产率和直晶率优于1600℃×30 min得到的SiC晶须产率和直晶率。

关 键 词:微波烧结  温度  碳化硅  晶须

Preparation of SiC whisker by microwave sintering
HAO Bin,LIU Jian,LIU Jin-qiang,WANG Fu.Preparation of SiC whisker by microwave sintering[J].Transactions of Materials and Heat Treatment,2013,34(8):1-5.
Authors:HAO Bin  LIU Jian  LIU Jin-qiang  WANG Fu
Affiliation:1.Department of Environment and Chemical Engineering,Tangshan College,Tangshan 063000,China;2.High and New Technology Research and Transform Center of Tangshan of Academia Sinica,Tangshan 063000,China)
Abstract:
Keywords:microwave sintering  temperature  SiC  whisker
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