| RG——MOSFET的IDS特性分析 |
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| 引用本文： | 石广元,胡延年.RG——MOSFET的IDS特性分析[J].微处理机,1998(2):61-64. |
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| 作者姓名： | 石广元 胡延年 |
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| 作者单位： | 辽宁大学电子科学与工程系!沈阳110036 |
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| 摘 要： | 以普通长沟道MOSFET的电流模型为基础，推导出RG—MOSFET一级近似下电流模型的解析表达式，并对其物理机制进行了较详细的分析讨论。
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| 关 键 词： | RG-MOSFET 电流特性 I-V特性 |
Analysis on I_(DS) Characteristic of RG-MOSFET |
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| Shi Guangyuan, Hu Yannnil, Wang Zhongwen.Analysis on I_(DS) Characteristic of RG-MOSFET[J].Microprocessors,1998(2):61-64. |
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| Authors: | Shi Guangyuan Hu Yannnil Wang Zhongwen |
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| Abstract: | The analytical expressions of the first approximation curret model was derived for RG-MOSFET on the basis of the current model of the general long channel. And the physical mechanism was discusscd in dctail. |
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| Keywords: | RG-MOSFET current characteristic I-V characteristic |
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