| Ⅲ/Ⅴ比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响 |
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| 引用本文： | 隋妍萍,于广辉,俞谦荣,齐鸣. Ⅲ/Ⅴ比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响[J]. 光电子．激光, 2006, 17(8): 958-962 |
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| 作者姓名： | 隋妍萍 于广辉 俞谦荣 齐鸣 |
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| 作者单位： | 中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | CNRS/ASC合作项目;国家高技术研究发展计划(863计划);国家自然科学基金;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 在射频（RF）等离子体辅助分子束外延（MBE）系统中，采用低温缓冲层等一系列生长工艺制备出二维生长模式的GaN材料；通过研究Ⅲ／Ⅴ比的调节对GaN生长的影响，确定了微富Ga的MBE生长GaN的优化条件；对GaN富Ga和富N状态的表面形貌和结构进行了比较，富Ga条件下的GaN具有更好的表面和材料特性；通过Hall和光致发光（PL）谱测试研究了GaN的电学和光学性质，GaN的黄带发光（YL）与GaN中生成能最低的ⅤN和VGa缺陷态有关。
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| 关 键 词： | 分子束外延(MBE) Ⅲ/Ⅴ比 二维生长 光致发光(PL)谱 |
| 文章编号： | 1005-0086（2006）08-0958-05 |
| 收稿时间： | 2005-10-15 |
| 修稿时间： | 2005-10-152006-02-23 |
Effect of Ⅲ/Ⅴ Flux Ratio on GaN Growth by Plasma-assisted MBE |
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| SUI Yan-ping,YU Guang-hui,YU Qian-rong,QI Ming. Effect of Ⅲ/Ⅴ Flux Ratio on GaN Growth by Plasma-assisted MBE[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2006, 17(8): 958-962 |
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| Authors: | SUI Yan-ping YU Guang-hui YU Qian-rong QI Ming |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and In formation Technology, Chinese Academy of Science, Shanghai 200050, China |
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