| 基于AFM的Si纳米结构的加工 |
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| 引用本文： | 吴雄喜,杨林军.基于AFM的Si纳米结构的加工[J].机械与电子,2005(4):54-56. |
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| 作者姓名： | 吴雄喜 杨林军 |
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| 作者单位： | 浙江工业大学,浙江,杭州,310014;浙江工业大学,浙江,杭州,310014 |
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| 基金项目： | 浙江省自然科学基金(501096) |
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| 摘 要： | 介绍了通过使用原子力显微镜，在H钝化Si(100)的表面局部阳极氧化反应的表面氧化图案上刻写的纳米级Si结构加工。这种氧化图形可被用作Si的可选择性蚀刻工艺的掩膜。带有临界特性的小到30nm的边门Si场效应晶体管也通过这种方法加工。
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| 关 键 词： | 纳米加工 硅纳米结构 原子力显微镜 阳极氧化 |
| 文章编号： | 1001-2257(2005)04-0054-03 |
| 修稿时间： | 2005年2月1日 |
Si Nanofabrication by AFM |
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| WU Xiong-xi,YANG Lin-jun.Si Nanofabrication by AFM[J].Machinery & Electronics,2005(4):54-56. |
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| Authors: | WU Xiong-xi YANG Lin-jun |
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| Abstract: | Introduced the fabrication of nanometerscale Si structures by using an atomic force microscope to write surfaceoxide patterns by the local anodic oxidation of a Hpassivated Si (100) surface.These oxide patterns were used as masks for selective etching of the silicon.Sidegated Si field effect transistors with critical features as small as 30 nm have been fabricated by this method. |
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| Keywords: | nanofabrication silicon nanostructures atomic force microscope anodic oxidation |
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