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| 用脉冲电源溅射ZnO薄膜时脉冲及工艺条件对靶电压的影响 | |
| 引用本文： | 薛俊明,侯国付,王雅欣,段苓伟,刘丽杰,赵颖,耿新华. 用脉冲电源溅射ZnO薄膜时脉冲及工艺条件对靶电压的影响[J]. 真空科学与技术学报, 2007, 27(5): 426-429 |
| 作者姓名： | 薛俊明 侯国付 王雅欣 段苓伟 刘丽杰 赵颖 耿新华 |
| 作者单位： | 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071 2. 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071 3. 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071 |
| 摘 要： | 用磁控溅射法制备ZnO∶Al透明导电膜时,降低靶电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄膜的质量,降低薄膜电阻。本文研究了用中频脉冲直流溅射法和Zn∶Al合金靶反应溅射制备ZnO∶Al透明导电膜时,脉冲参数,如脉冲频率、反向脉冲幅度、反向脉冲时间、功率、氧氩比、溅射气压等工艺条件对靶电压的影响。结果表明,延长反向脉冲时间是降低靶电压的最有效方法。当反向时间由2μs增加到10μs时,靶电压降低了60%以上。 |
| 关 键 词： | 中频脉冲 ZnO:Al透明导电膜 磁控溅射 靶电压 |
| 文章编号： | 1672-7126（2007）05-426-04 |
| 修稿时间： | 2007-01-29 |
Reducing Target Voltage by Adjusting Growth Conditions of ZnO∶Al Films |
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| Xue Junming,Hou Guofu,Wang Yaxin,Duan Lingwei,Liu Lijie,Zhao Ying,Geng Xinhua. Reducing Target Voltage by Adjusting Growth Conditions of ZnO∶Al Films[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2007, 27(5): 426-429 | |
| Authors: | Xue Junming Hou Guofu Wang Yaxin Duan Lingwei Liu Lijie Zhao Ying Geng Xinhua |
| Affiliation: | Institute of Photo-electronic Thin Film Devices and Technology,Nankai University, Tianfin 300071, China; Key Laboratory of Photo-electronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin ; Key Laboratory of Optoelectronic Information Science and Technology, Chinese Ministry of Education |
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