| 不同钝化层对硅基铝金属膜应力影响的研究 |
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| 引用本文： | 李秀宇,吴月花,李志国,付厚奎.不同钝化层对硅基铝金属膜应力影响的研究[J].半导体技术,2007,32(1):47-51. |
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| 作者姓名： | 李秀宇 吴月花 李志国 付厚奎 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京100022;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京100022;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京100022;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京100022 |
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| 基金项目： | 电子元器件可靠性物理及应用技术国防科技重点实验室资助项目
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北京工业大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 采用光偏振相移干涉原理测量了硅基上不同钝化层下铝膜应力的变化.研究表明:不同的钝化层对铝膜的应力影响不同.SiO2钝化层下的铝膜应力最小,而钝化层为聚酰亚胺的铝膜应力最大.200 ℃下退火4 h后,应力减小明显,且分布趋向均匀.同时采用有限元法对不同钝化层的铝膜进行了应力模拟,模拟结果与实验结果相符.
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| 关 键 词： | 钝化层 光学相移法 应力 |
| 文章编号： | 1003-353X(2007)01-0047-05 |
| 修稿时间： | 2006-04-18 |
Effects of Different Passivation Layer on Stress of Al Film on Si Substrate |
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| LI Xiu-yu,WU Yue-hua,LI Zhi-guo,FU Hou-kui.Effects of Different Passivation Layer on Stress of Al Film on Si Substrate[J].Semiconductor Technology,2007,32(1):47-51. |
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| Authors: | LI Xiu-yu WU Yue-hua LI Zhi-guo FU Hou-kui |
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| Affiliation: | Microelectronic Reliability Lab., College of Electronic Information and Control Engineeriag,Beefing University of Technology, Beijing 100022, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | passivation layer optical phase shift technology stress |
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