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| 用氧化隔离的高速 I~2L | |
| 作者姓名： | R.Müller 张淑文 |
| 摘 要： | 序言自从集成注入逻辑(I~2L)[1]和并合三极管逻辑(MTL)[2]对双极型集成电路产生巨大影响以来,围绕着进一步提高器件的密度和速度展开了大量的研究工作。用标准的隐埋收集极工艺(SBC)生产的 I~2L 表明,每个反相器的最小延迟时间在20ns 左右。为了减小这个比较大的传输延迟可以采用离了注入[3],肖特基二极管和氧化隔离等更先进的生产工艺。下面将讨论用氧化隔离来实现具有更高组装密度和速度的 I~2L 电路。由于它的生产工艺 |
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